فاطمه کهنی خشکبیجاری - گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت، رشت، ایران
محمدجواد شریفی - دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
رضا فولادی - گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت، رشت، ایران
سیدحسین علوی راد - گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد لنگرود، لنگرود، ایران

دراین مقاله، تاثیر مهندسی ماده کاتد بعنوان یک پارامتر مهم ساختاری و فیزیکی در طراحی بهینه ترانزیستور گسیل میدانی خلاء نانومتری ارائه و بررسی می شود. نتایج محاسبات نشان می دهند، با به کارگیری مواد مختلف و کاهش تابع کار کاتد ازeV ۵/۶۵ (پلاتین) تا eV ۴/۲۸ (آلومینیم)، جریان آند افزایش چشمگیر در حدود ۱۴۴% یافته است درحالیکه ولتاژ آستانه افزاره به بیش از نصف کاهش می یابد. فرکانس کاری افزاره با کاهش تابع کار کاتد، حدودا ۱/۶۳ تراهرتز بدست آمده که بیانگر عملکرد چشمگیر افزاره در کاربردهای فرکانس بالا است. مشخصه های الکتریکی دیگر نظیر Ion/Ioff، VTH و gm هم محاسبه و تغییر آنها با مهندسی ماده کاتد بررسی شده است. این بررسی می تواند زمینه ساز ظهور نسل جدیدی از ترانزیستورهای سریع با توان پایین برای کاربردهای دیجیتال باشد.

ترانزیستور گسیل میدانی نانومتری با کانال خلاء، گیت انگشتی، مشخصه های الکتریکی، مهندسی ماده کاتد