بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی ۰.۱۸µmCMOS

با استفاده از تکنولوژی ۰.۱۸µm ، ترانزیستورهای CMOS یک نمونه VCO طراحی شده است. در ساختار VCO پیشنهادی، از یک سلف فعال قابل تنظیم و یک ورکتور برای تانک LC استفاده شده است. تنظیم فرکانس گسترده در این مدار توسط سلف فعال قابل تنظیم و تنظیمات ریز با واراکتور کنترل می­گردد. VCO با ورکتور MOS  در حالت انبارش دارای کمترین مصرف توان و پایین­ترین نویز فاز در فرکانس­های آفست بزرگ می­باشد. مزایای اعمال شده توسط ورکتورهای MOS زمانی­که تکنولوژی­های CMOS پیشرفته­تری انتخاب شوند بخوبی افزایش می­یابد.  به­دلیل عدم وجود عناصر غیر فعال، VCO کاملا مجتمع سطح تراشه­ای کم­تری را در مدار  اشغال می­کند.   

کلیدواژه ها:

ورکتور ، سلف فعال ، محدوده تنظیم فرکانس ، وارونگی ، نوسانگر کنترل شده با ولتاژ