سنتز گرافن با لایه برداری توسط سیال فوق بحرانی دی اکسید کربن و به کمک مواد شیمیایی ((سدیم هگزامتافسفات)) و ((لیگنوسولفونات سدیم))

در این مقاله در مورد سنتز گرافن از گرافیت خالص با استفاده از سیال فوق بحرانی دی اکسید کربن بحث شده است. اندازه ملکولی سیال فوق بحرانی دی اکسید کربن ۲۳/۰ نانومتر و فاصله بین لایه های گرافیت ۳۴/۰ نانومتر می باشد و به همین دلیل سیال فوق بحرانی دی اکسید کربن به راحتی می تواند بین لایه های گرافیت نفوذ و باعث جدا شدن لایه های گرافیت گردد. در این آزمایش، گرافیت با مواد افزودنی ((سدیم هگزامتافسفات)) و ((لیگنوسولفونات سدیم)) مخلوط و داخل دستگاه سیال فوق بحرانی گذاشته شد. برای آنالیز گرافن حاصل شده، از طیف سنجی های TEM، RAMAN و AFMاستفاده گردید. با تحلیل توپولوژی نمونه ها و بررسی اختلاف سطح لبه های گرافن از سطح بستر، به وضوح تشکیل گرافن تک لایه بسیار نازکی با ضخامت ۶۲۵/۰ نانومتر تایید شد. در این مقاله نشان داده شد اگر از ((سدیم هگزامتافسفات)) به عنوان نسل جدید افزودنی ها استفاده گردد، گرافن گرانبها با عملکردی بهتر و تعداد لایه های کمتر تولید می شود.

کلیدواژه ها:

گرافیت ، سیال فوق بحرانی دی اکسید کربن ، لایه برداری ، گرافن ، مشخصه یابی.