بهبود اثر خود گرمایی ترانزیستورهای ماسفت در فناوری سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از جاسازی نیترید سیلیسیم T شکل در ناحیه مدفون
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 134
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC06_049
تاریخ نمایه سازی: 3 آبان 1402
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای ماسفت با فناوری سیلیسیم بر روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. ولی وجود لایه عایقدر این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خود گرمایی میشوند. به منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، دراین مقاله، اثر خود گرمایی یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق (SOI MOSFET) در مقیاس نانومتر کاهشداده میشود. در طرح پیشنهادی، یک ناحیه T شکل از جنس نیترید سیلیسیم ((Si(۳)N(۴) در ناحیه مدفون اکسیدسیلیسیمی جاسازی می گردد. این امر باعث می گردد که مسیر گرمایشی برای بهبود اثر خود گرمایی ایجاد گردد و هدایتحرارتی لایه مدفون افزایش یابد. شبیه سازی ها نشان می دهد که علاوه بر حداکثر دمای شبکه که ۳۸۴ درجه کلوینمی باشد، ویژگی های الکتریکی افزاره نیز بهبودیافته است. عملکرد ساختار پیشنهادی و ساختار ماسفت مرسوم توسطنرم افزار ATLAS شبیه سازی می شوند و نشان داده می شود که ترانزیستور پیشنهادی دارای عملکرد بهتری نسبت بهساختار متداول از نظر قابلیت جریان دهی، ماکزیمم دمای الکترون در کانال، میدان الکتریکی، جریان درین بر حسب ولتاژدرین، دمای شبکه، توان حرارتی کل، چگالی جریان کل و قابلیت تحرک الکترون می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد هلالی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
استاد دانشگاه سمنان