بررسی تاثیر شرایط رسوب دهی شیمیایی فاز بخار CVD بر سینتیک رسوب دهی و مورفولوژی رشد β-SiC بر روی کامپوزیت کربن-کربن

در این پژوهش تاثیر شرایط رسوبدهی شیمیایی فاز بخار CVD بر سینتیک رسوبدهی و مورفولوژی رشد β-SiC بر روی کامپوزیت کربن-کربن بررسی شده است. به منظور بررسی فازی β-SiC از آنالیز XRD، مورفولوژی رشد از دستگاه FE-SEM و بررسی عناصر سطحی از آنالیز عنصری EDS استفاده شده است. بر این اساس پس از طراحی و ساخت دستگاه CVD انجام محاسبات ترمودینامیکی و بررسی سینتیک رسوب دهی، تاثیر پارامترهای دما و زمان رسوب دهی بر مورفولوژی رشد β-SiC مورد مطالعه قرارگرفته است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما،تغییرات آنتالپی ΔH و آنتروپی ΔS واکنش ها باعث کاهش شدید انرژی آزاد گیبس ΔGo واکنش کلی تشکیل SiC می شود. با افزایش دما از ۹۰۰ تا ۱۱۰۰⁰C عامل کنترل کننده رسوبدهی از سینتیک شیمیایی سطح به سینتیک انتقال تغییر کرده و مورفولوژی رشدتحت تاثیر قرار می گیرد.

کلیدواژه ها:

و CVDسینتیک ، ، β-SiC ، کامپوزیت کربن-کربن