Device and Circuit Performance Simulation of a New Nano- Scaled Side Contacted Field Effect Diode Structure
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 48
فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JOPN-4-3_002
تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1402
چکیده مقاله:
A new side-contacted field effect diode (S-FED) structure has beenintroduced as a modified S-FED, which is composed of a diode and planar double gateMOSFET. In this paper, drain current of modified and conventional S-FEDs wereinvestigated in on-state and off-state. For the conventional S-FED, the potential barrierheight between the source and the channel is observed to become larger and the flow ofinjected electrons is reduced. Thus, the drain current decreases in on-state. While in offstate,the potential barrier height and width become smaller in conventional S-FED andso the drain current is greater than that of modified structure. Mixed mode simulationswere used to determine the performance of the proposed logic gates. We compared theoperation of modified S-FED with that of conventional S-FED. Simulated power delayproduct (PDP) of the modified S-FED-based NOR, NAND, XOR gates were found tobe about ۴۱۶fJ, ۴۰۸fJ and ۳۳۶fJ, respectively, compared with ۹۰۶fJ, ۸۱۰fJ and ۷۰۵fJachievable with conventional S-FED logic gates.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Omid Talati Khoei
Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University, Khoy, Iran
Reza Hosseini
Department of Electrical Engineering, Khoy Branch, Islamic Azad University, Khoy, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :