مدل سازی سلول خورشیدی Al.15 Ga.85As دارای کوانتوم دات از نوع InAs/GaAs و بررسی عملکرد بازده آن

در این مقاله مدلی جدید از سلول خورشیدی با باند میانی کوانتوم داتی (QD-IBSC) ارائه شده است. به دلیل وجود کوانتوم دات ها در باند شکاف بین باند هدایت و ظرفیت، جذب فتون ها با انرژی های کمتر از باند شکاف نیمه هادی امکان پذیر شده و جریان نوری افزایش می یابد. بازده برای دو باند میانی از جنس Al.15Ga.85As و GaAs با کوانتوم دات InAs/GaAs بررسی شده و همچنین تاثیرات استفاده از متمرکز کننده (X) بر روی بازده و مشخصه ولتاژ - جریان سلول خورشیدی را مطالعه کرده ایم. که در نهایت نتایج عددی از مدل سازی نشان داده که سلول خورشیدی با باند میانی دارای بازده بالاتری نسبت به سلول خورشیدی مرجع است. برای مدل سازی نرم افزار MatLab را به کار گرفته ایم. بیشترین بازده برای X=1 به ازای ضخامت 1.35μm برابر با 23.1٪ و برای X=1000 به ازای ضخامت مشابه برایر با 38.9٪ به دست آورده ایم.

کلیدواژه ها:

باند تخت ، سلول خورشیدی با باند میانی کوانتوم داتی ، مدل سازی ، نیمه هادی ها