محاسبه بازده کوانتومی و مشخصات ولتاژ - جریان سلول های خورشیدی لایه نازک CZTS

در این مقاله، یک مدل تحلیلی برای محاسبه کوانتومی داخلی و مشخصات جریان ولتاژ سلول های خورشیدی لایه نازک مبتنی بر CZTS ارائه داده شده است. به کمک نتایج، می توان مشاهده نمود که با کاهش پهنای بیس و افزایش شدت، بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه ی ولتاژ - جریان J-V افزایش می یابد. همچنین مشاهده گردید که نمودارهای بدست آمده نسبت به انتقال حفره ها حساسیت دارند. همچنین مشاهده می شود که بازدهی کوانتومی داخلی برای انتقال حفره ها در طول موج های بلندتر نسبت به طول موج های کوتاه تر، بیشتر است. از این رو، مدل پیشنهادی در این تحقیق به صورتی مشروح دیدگاه فیزیکی این سلول های خورشیدی لایه نازک را توضیح می دهد. همچنین نشان داده شد که بازدهی کوانتومی داخلی سلول های خورشیدی CZTS و پارامترهای فیزیکی دیگر آن به چه صورت با دما تغییر خواهد داشت.

کلیدواژه ها:

بازدهی کوانتومی داخلی ، جریان ولتاژ ، سلول خورشیدی CZTS ، مشخصه ولتاژ - جریان ، فیلم نازک